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IXBN75N170
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
SOT-227B miniBLOC (IXBN)
g fS
C ies
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
I C = I C90 , V CE = 10V, Note 1
V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz
I C = I C90 , V GE = 15V, V CE = 0.5 ? V CES
Resistive load, T J = 25°C
I C = I C90 , V GE = 15V
R G = 1 Ω, V CE = 0.5 ? V CES
Resistive load, T J = 125°C
I C = I C90 , V GE = 15V
R G = 1 Ω, V CE = 0.5 ? V CES
34
56
6930
400
150
350
50
160
46
160
260
440
47
230
260
580
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R thJC
0.20 °C/W
R thCS
Reverse Diode
0.05
°C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max
V F
t rr
I RM
Q RM
Note
I F = I C90 , V GE = 0V, Note 1
I F = 37V, V GE = 0V, -di F /dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GE = 0V
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
1.5
50
38.2
3.0
V
μ s
A
μ C
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived
from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but also may yet
contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS reserves the right
to change limits, test conditions, and dimensions without notice.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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相关代理商/技术参数
IXBN75N170A
功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1700V 6.00 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXBOD 1-08
制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXBOD1-06
功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 600V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-07
功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 700V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-08
功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 800V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-09
功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 900V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-10
功能描述:硅对称二端开关元件 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
IXBOD1-12
制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes